| Numéro d'article | TK20P04M1,RQ(S |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 985pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 10A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | DPAK |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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TK20P04M1,RQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 | Détails |
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TK20P100RJE | EXSHINE | 20 and 15 Watt TO-220 Package Thick and Thin Film | Détails |
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TK20P1K00JE | Ohmite | RES 1K OHM 20W 5% TO220 | Détails |
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TK20P3R00JE | Ohmite | RES 3 OHM 20W 5% TO220 | Détails |
