TK10A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK10A60W,S4VX
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	9.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.)	30W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 4.9A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220SIS
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK10A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS	подробности
TK10A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS	подробности
TK10A60D	TOSHIBA	TK10A60D TOSHIBA TO-220 New Original Stocks	подробности
TK10A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS	подробности
TK10A60E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V TO220SIS	подробности
TK10A60E,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V TO220SIS	подробности
TK10A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS	подробности
TK10A60W,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220	подробности
TK10A60W5,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS	подробности
TK10A80E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V TO220SIS	подробности