TK10A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK10A60W,S4VX
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 4.9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TK10A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS	Dettagli
TK10A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS	Dettagli
TK10A60D	TOSHIBA	TK10A60D TOSHIBA TO-220 New Original Stocks	Dettagli
TK10A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS	Dettagli
TK10A60E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V TO220SIS	Dettagli
TK10A60E,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V TO220SIS	Dettagli
TK10A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS	Dettagli
TK10A60W,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220	Dettagli
TK10A60W5,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS	Dettagli
TK10A80E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V TO220SIS	Dettagli