TK10A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK10A60W,S4VX
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	9.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	Super Junction
Verlustleistung (Max)	30W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 4.9A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TK10A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS	Einzelheiten
TK10A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS	Einzelheiten
TK10A60D	TOSHIBA	TK10A60D TOSHIBA TO-220 New Original Stocks	Einzelheiten
TK10A60D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS	Einzelheiten
TK10A60E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V TO220SIS	Einzelheiten
TK10A60E,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V TO220SIS	Einzelheiten
TK10A60W,S4VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS	Einzelheiten
TK10A60W,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220	Einzelheiten
TK10A60W5,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS	Einzelheiten
TK10A80E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V TO220SIS	Einzelheiten