TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
TC58NVG2S0HBAI6
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
TC58NVG2S0HBAI6 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Память
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
622 pcs
Справочная цена
USD 4.47/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6 Подробное описание

номер части TC58NVG2S0HBAI6
Статус детали Active
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти EEPROM
Технологии EEPROM - NAND
Размер памяти 4Gb (512M x 8)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 25ns
Время доступа 25ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 67-VFBGA
Пакет устройств поставщика 67-VFBGA (6.5x8)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TC58NVG2S0HBAI6