Artikelnummer | TC58NVG2S0HBAI6 |
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Teilstatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | EEPROM |
Technologie | EEPROM - NAND |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 67-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |