TC58NVG0S3HBAI4 - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TC58NVG0S3HBAI4
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	EEPROM
Технологии	EEPROM - NAND
Размер памяти	1Gb (128M x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	25ns
Время доступа	25ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	63-VFBGA
Пакет устройств поставщика	63-TFBGA (9x11)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TC58NC20FF01	TOSHIBA	TC58NC20FF01 TOSHIBA QFP48 New Original Stocks	подробности
TC58NC344CF	TOSHIBA	TC58NC344CF TOSHIBA TQFP New Original Stocks	подробности
TC58NC354F	ORIGINAL	TC58NC354F ORIGINAL QFP New Original Stocks	подробности
TC58NC6687G1F	TOSHIBA	TC58NC6687G1F TOSHIBA QFP New Original Stocks	подробности
TC58NC8823A2F	TOSHIBA	TC58NC8823A2F TOSHIBA QFP New Original Stocks	подробности
TC58NVG0S3AFT05	TOSHIBA	TC58NVG0S3AFT05 TOSHIBA SOP New Original Stocks	подробности
TC58NVG0S3ETA00	TOSHIBA	TC58NVG0S3ETA00 TOSHIBA TSOP P.. New Original Stocks	подробности
TC58NVG0S3HBAI4	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 63TFBGA	подробности
TC58NVG0S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 67FBGA	подробности
TC58NVG0S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP	подробности