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집 › 제품 카테고리 › 집적 회로(IC) › 메모리 › TC58NVG0S3HBAI4
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4 - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호
TC58NVG0S3HBAI4
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
간단한 설명
IC EEPROM 1GBIT 25NS 63TFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
TC58NVG0S3HBAI4 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
메모리
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
452 pcs
참고 가격
USD 2.43/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4 상세 설명

부품 번호 TC58NVG0S3HBAI4
부품 상태 Active
메모리 유형 Non-Volatile
메모리 형식 EEPROM
과학 기술 EEPROM - NAND
메모리 크기 1Gb (128M x 8)
클럭 주파수 -
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 25ns
액세스 시간 25ns
메모리 인터페이스 Parallel
전압 - 공급 2.7 V ~ 3.6 V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 63-VFBGA
공급 업체 장치 패키지 63-TFBGA (9x11)
무게 -
원산지 -

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