SSM5G10TU(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	SSM5G10TU(TE85L,F)
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	1.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	6.4nC @ 4V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	250pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±8V
Функция FET	Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)	500mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	213 mOhm @ 1A, 4V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	UFV
Упаковка / чехол	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	SSM5G10TU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV	подробности