SSM5G10TU(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: SSM5G10TU(TE85L,F)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SSM5G10TU(TE85L,F) Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 4263 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SSM5G10TU(TE85L,F)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	213 mOhm @ 1A, 4V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	UFV
Paquete / caja	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SSM5G10TU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV	Detalles