| 品番 | SSM5G10TU(TE85L,F) |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.8V, 4V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6.4nC @ 4V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 250pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±8V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 500mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 213 mOhm @ 1A, 4V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | UFV |
| パッケージ/ケース | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
SSM5G10TU(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV | 詳細 |
