RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
RN1116MFV,L3F
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
RN1116MFV,L3F Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
5681517 pcs
Справочная цена
USD 0.02898/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F Подробное описание

номер части RN1116MFV,L3F
Статус детали Active
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SOT-723
Пакет устройств поставщика VESM
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ RN1116MFV,L3F