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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › RN1116MFV,L3F
RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
RN1116MFV,L3F
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
RN1116MFV,L3F PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
5681517 pcs
参考価格
USD 0.02898/pcs
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RN1116MFV,L3F 詳細な説明

品番 RN1116MFV,L3F
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 250MHz
電力 - 最大 150mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-723
サプライヤデバイスパッケージ VESM
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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