2SK879-GR(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	2SK879-GR(TE85L,F)
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение - пробой (V (BR) GSS)	-
Слив к источнику напряжения (Vdss)	-
Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	2.6mA @ 10V
Текущий слив (Id) - Макс.	-
Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id	400mV @ 100nA
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	8.2pF @ 10V
Сопротивление - RDS (Вкл.)	-
Мощность - макс.	100mW
Рабочая Температура	125°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	SC-70, SOT-323
Пакет устройств поставщика	USM
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2SK879-GR	TOSHIBA	2SK879-GR TOSHIBA SOT-32.. New Original Stocks	подробности
2SK879-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM	подробности
2SK879-O	TOS	2SK879-O TOS SOT-32.. New Original Stocks	подробности
2SK879-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM	подробности