2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SK879-GR(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
JFET N-CH 0.1W USM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - JFET
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3584 pcs
Prix ​​de référence
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2SK879-GR(TE85L,F) Description détaillée

Numéro d'article 2SK879-GR(TE85L,F)
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 2.6mA @ 10V
Drain de courant (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 400mV @ 100nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8.2pF @ 10V
Résistance - RDS (On) -
Puissance - Max 100mW
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur USM
Poids -
Pays d'origine -

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