2SK879-GR(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	2SK879-GR(TE85L,F)
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS)	-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	2.6mA @ 10V
Stromabfluss (Id) - Max	-
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id	400mV @ 100nA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8.2pF @ 10V
Widerstand - RDS (Ein)	-
Leistung max	100mW
Betriebstemperatur	125°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket	USM
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2SK879-GR	TOSHIBA	2SK879-GR TOSHIBA SOT-32.. New Original Stocks	Einzelheiten
2SK879-GR(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM	Einzelheiten
2SK879-O	TOS	2SK879-O TOS SOT-32.. New Original Stocks	Einzelheiten
2SK879-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	JFET N-CH 0.1W USM	Einzelheiten