2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части
2SJ668(TE16L1,NQ)
производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Краткое описание
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
2SJ668(TE16L1,NQ) Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
2SJ668(TE16L1,NQ).pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3755 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку 2SJ668(TE16L1,NQ)

2SJ668(TE16L1,NQ) Подробное описание

номер части 2SJ668(TE16L1,NQ)
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 700pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 20W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2.5A, 10V
Рабочая Температура 150°C
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PW-MOLD
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ 2SJ668(TE16L1,NQ)