品番 | 2SJ668(TE16L1,NQ) |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 15nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 700pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 20W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 170 mOhm @ 2.5A, 10V |
動作温度 | 150°C |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PW-MOLD |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
重量 | - |
原産国 | - |