2SJ668(TE16L1,NQ) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	2SJ668(TE16L1,NQ)
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	20W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2.5A, 10V
Betriebstemperatur	150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PW-MOLD
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	2SJ668	TOSHIBA	2SJ668 TOSHIBA SOT-25.. New Original Stocks	Einzelheiten
	2SJ668(TE16L1,NQ)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD	Einzelheiten