TSM2N7000KCT B0G - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	TSM2N7000KCT B0G
Статус детали	Not For New Designs
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	7.32pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	400mW (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-92
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TSM2N70	TSC	700V N-Channel Power MOSFET	подробности
TSM2N7000	TSC	60V N-Channel MOSFET	подробности
TSM2N7000CT	TSC	60V N-Channel MOSFET	подробности
TSM2N7000CTA3	TSC	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	подробности
TSM2N7000CTB0	TSC	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	подробности
TSM2N7000K	TSC	60V N-Channel MOSFET	подробности
TSM2N7000KCT A3G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92	подробности
TSM2N7000KCT B0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92	подробности
TSM2N7000KCTA3	TSC	60V N-Channel MOSFET	подробности
TSM2N7000KCTB0	TSC	60V N-Channel MOSFET	подробности