TSM2N7000KCT B0G Подробное описание
номер части |
TSM2N7000KCT B0G |
Статус детали |
Not For New Designs |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
300mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
5V, 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
0.4nC @ 4.5V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
7.32pF @ 25V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
400mW (Ta) |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Through Hole |
Пакет устройств поставщика |
TO-92 |
Упаковка / чехол |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ TSM2N7000KCT B0G