TSM2N7000KCT B0G

TSM2N7000KCT B0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
TSM2N7000KCT B0G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2240445 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.07349/pcs
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TSM2N7000KCT B0G Description détaillée

Numéro d'article TSM2N7000KCT B0G
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.32pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 400mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-92
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids -
Pays d'origine -

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