TSM2N7000KCT B0G Descripción detallada
Número de pieza |
TSM2N7000KCT B0G |
Estado de la pieza |
Not For New Designs |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
300mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
0.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) |
±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
7.32pF @ 25V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
400mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-92 |
Paquete / caja |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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