STGD6M65DF2 - STMicroelectronics

номер части	STGD6M65DF2
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	12A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	24A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 6A
Мощность - макс.	88W
Энергия переключения	36µJ (on), 200µJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	21.2nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	15ns/90ns
Условия тестирования	400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	140ns
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика	DPAK
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
STGD10HF60KD	STMicroelectronics	IGBT 600V 10A DPAK	подробности
STGD10NC60HDT4	STMicroelectronics	IGBT 600V 20A 62W D2PAK	подробности
STGD10NC60HT4	STMicroelectronics	IGBT 600V 20A 60W DPAK	подробности
STGD10NC60KDT4	STMicroelectronics	IGBT 600V 20A 62W DPAK	подробности
STGD10NC60KT4	STMicroelectronics	IGBT 600V 20A 60W DPAK	подробности
STGD10NC60SDT4	STMicroelectronics	IGBT 600V 18A 60W DPAK	подробности
STGD10NC60ST4	STMicroelectronics	IGBT 600V 18A 60W DPAK	подробности
STGD1100LT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 3.3A SC74	подробности
STGD14NC60KT4	STMicroelectronics	IGBT 600V 25A 80W DPAK	подробности
STGD18N40LZ-1	STMicroelectronics	IGBT 420V 25A 125W IPAK	подробности