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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › STGD6M65DF2
STGD6M65DF2

STGD6M65DF2 - STMicroelectronics

Numéro d'article
STGD6M65DF2
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STGD6M65DF2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
STGD6M65DF2.pdf
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4998/pcs
Notre prix
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STGD6M65DF2 Description détaillée

Numéro d'article STGD6M65DF2
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 12A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Puissance - Max 88W
Échange d'énergie 36µJ (on), 200µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 21.2nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 15ns/90ns
Condition de test 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 140ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur DPAK
Poids -
Pays d'origine -

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