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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › STGD6M65DF2
STGD6M65DF2

STGD6M65DF2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STGD6M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STGD6M65DF2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
STGD6M65DF2.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
6250 pcs
Referenzpreis
USD 0.4998/pcs
Unser Preis
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STGD6M65DF2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STGD6M65DF2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 12A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 24A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Leistung max 88W
Energie wechseln 36µJ (on), 200µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 21.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/90ns
Testbedingung 400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 140ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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