SKI10123 - Sanken

номер части	SKI10123
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	66A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	88.8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6420pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	135W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 33A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SKI-FF530	EXSHINE	Infrared emitting diode which mounted high power 850 nm IR CHIP	подробности
SKI03021	Sanken	MOSFET N-CH 30V 85A TO-263	подробности
SKI03036	Sanken	MOSFET N-CH 30V 80A TO-263	подробности
SKI03063	Sanken	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263	подробности
SKI03087	Sanken	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263	подробности
SKI04024	Sanken	MOSFET N-CH 40V 85A TO-263	подробности
SKI04033	Sanken	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263	подробности
SKI04044	Sanken	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263	подробности
SKI06048	Sanken	MOSFET N-CH 60V 85A TO-263	подробности
SKI06073	Sanken	MOSFET N-CH 60V 78A TO-263	подробности