SKI10123 - Sanken

Numéro d'article	SKI10123
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	88.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6420pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 33A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SKI-FF530	EXSHINE	Infrared emitting diode which mounted high power 850 nm IR CHIP	Détails
SKI03021	Sanken	MOSFET N-CH 30V 85A TO-263	Détails
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SKI03087	Sanken	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263	Détails
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