SKI10123 - Sanken

Artikelnummer	SKI10123
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	88.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6420pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	135W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 33A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SKI-FF530	EXSHINE	Infrared emitting diode which mounted high power 850 nm IR CHIP	Einzelheiten
SKI03021	Sanken	MOSFET N-CH 30V 85A TO-263	Einzelheiten
SKI03036	Sanken	MOSFET N-CH 30V 80A TO-263	Einzelheiten
SKI03063	Sanken	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263	Einzelheiten
SKI03087	Sanken	MOSFET N-CH 30V 40A TO-263	Einzelheiten
SKI04024	Sanken	MOSFET N-CH 40V 85A TO-263	Einzelheiten
SKI04033	Sanken	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263	Einzelheiten
SKI04044	Sanken	MOSFET N-CH 40V 80A TO-263	Einzelheiten
SKI06048	Sanken	MOSFET N-CH 60V 85A TO-263	Einzelheiten
SKI06073	Sanken	MOSFET N-CH 60V 78A TO-263	Einzelheiten