EMG3T2R

EMG3T2R - Rohm Semiconductor

номер части
EMG3T2R
производитель
Rohm Semiconductor
Краткое описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
EMG3T2R Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
EMG3T2R.pdf
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
403173 pcs
Справочная цена
USD 0.0646/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку EMG3T2R

EMG3T2R Подробное описание

номер части EMG3T2R
Статус детали Active
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 4.7k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA (ICBO)
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SC-75, SOT-416
Пакет устройств поставщика EMT3
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ EMG3T2R