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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › EMG3T2R
EMG3T2R

EMG3T2R - Rohm Semiconductor

Numero di parte
EMG3T2R
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
EMG3T2R Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
EMG3T2R.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
406385 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0646/pcs
Il nostro prezzo
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EMG3T2R Descrizione dettagliata

Numero di parte EMG3T2R
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore EMT3
Peso -
Paese d'origine -

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