| Numero di parte | EMG11T2R |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistore - Base (R1) (Ohm) | 2.2k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 47k |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EMT5 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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