EMG11T2R Descripción detallada
| Número de pieza |
EMG11T2R |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de transistor |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) |
100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) |
50V |
| Resistencia - Base (R1) (Ohmios) |
2.2k |
| Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) |
47k |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) |
500nA |
| Frecuencia - Transición |
250MHz |
| Potencia - Max |
150mW |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete / caja |
6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
EMT5 |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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