EMG1T2R

EMG1T2R - Rohm Semiconductor

номер части
EMG1T2R
производитель
Rohm Semiconductor
Краткое описание
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
EMG1T2R Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
EMG1T2R.pdf
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно предвзятые
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
276416 pcs
Справочная цена
USD 0.0918/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку EMG1T2R

EMG1T2R Подробное описание

номер части EMG1T2R
Статус детали Active
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Резистор - основание (R1) (Ом) 22k
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) 22k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500nA
Частота - переход 250MHz
Мощность - макс. 150mW
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Пакет устройств поставщика EMT5
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ EMG1T2R