EMG1T2R Подробное описание
номер части |
EMG1T2R |
Статус детали |
Active |
Тип транзистора |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Ток - коллектор (Ic) (макс.) |
100mA |
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) |
50V |
Резистор - основание (R1) (Ом) |
22k |
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) |
22k |
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce |
56 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA |
Ток - отсечка коллектора (макс.) |
500nA |
Частота - переход |
250MHz |
Мощность - макс. |
150mW |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Упаковка / чехол |
6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Пакет устройств поставщика |
EMT5 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ EMG1T2R