EMG1T2R detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
EMG1T2R |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) |
22k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) |
22k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
56 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
Frequenz - Übergang |
250MHz |
Leistung max |
150mW |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Lieferantengerätepaket |
EMT5 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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