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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス › EMG1T2R
EMG1T2R

EMG1T2R - Rohm Semiconductor

品番
EMG1T2R
メーカー
Rohm Semiconductor
簡単な説明
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EMG1T2R PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
EMG1T2R.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
296704 pcs
参考価格
USD 0.0918/pcs
私達の価格
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EMG1T2R 詳細な説明

品番 EMG1T2R
部品ステータス Active
トランジスタタイプ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 22k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） 22k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 56 @ 5mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 250MHz
電力 - 最大 150mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
サプライヤデバイスパッケージ EMT5
重量 -
原産国 -

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