R1RW0416DSB-2LR#B0

R1RW0416DSB-2LR#B0 - Renesas Electronics America

номер части
R1RW0416DSB-2LR#B0
производитель
Renesas Electronics America
Краткое описание
IC SRAM IBIS ASYNC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
R1RW0416DSB-2LR#B0 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Память
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
30422 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку R1RW0416DSB-2LR#B0

R1RW0416DSB-2LR#B0 Подробное описание

номер части R1RW0416DSB-2LR#B0
Статус детали Obsolete
Тип памяти Volatile
Формат памяти SRAM
Технологии SRAM
Размер памяти 4Mb (256K x 16)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 12ns
Время доступа 12ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 3V ~ 3.6V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Пакет устройств поставщика 44-TSOP II
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ R1RW0416DSB-2LR#B0