R1RW0416DGE-2PR#B0 - Renesas Electronics America

номер части	R1RW0416DGE-2PR#B0
Статус детали	Last Time Buy
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM
Размер памяти	4Mb (256K x 16)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	12ns
Время доступа	12ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	3V ~ 3.6V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Пакет устройств поставщика	44-SOJ
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
R1RW0408DGE-0PI#B0	Renesas Electronics America	MICROCOMPUTER	подробности
R1RW0408DGE-2LR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	подробности
R1RW0408DGE-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	подробности
R1RW0408DGE-2PR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	подробности
R1RW0416DGE-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 44-SOJ	подробности
R1RW0416DGE-2PR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 44-SOJ	подробности
R1RW0416DSB-2LR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	подробности
R1RW0416DSB-2LR#D1	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	подробности
R1RW0416DSB-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	подробности
R1RW0416DSB-2PI#D0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP	подробности