R1RW0416DGE-2PR#B0 - Renesas Electronics America

Numéro d'article	R1RW0416DGE-2PR#B0
État de la pièce	Last Time Buy
Type de mémoire	Volatile
Format de la mémoire	SRAM
La technologie	SRAM
Taille mémoire	4Mb (256K x 16)
Fréquence d'horloge	-
Écrire un temps de cycle - Word, Page	12ns
Temps d'accès	12ns
Interface de mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Package de périphérique fournisseur	44-SOJ
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
R1RW0408DGE-0PI#B0	Renesas Electronics America	MICROCOMPUTER	Détails
R1RW0408DGE-2LR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	Détails
R1RW0408DGE-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	Détails
R1RW0408DGE-2PR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	Détails
R1RW0416DGE-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 44-SOJ	Détails
R1RW0416DGE-2PR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 44-SOJ	Détails
R1RW0416DSB-2LR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	Détails
R1RW0416DSB-2LR#D1	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	Détails
R1RW0416DSB-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	Détails
R1RW0416DSB-2PI#D0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP	Détails