R1RW0416DSB-2LR#D1

R1RW0416DSB-2LR#D1 - Renesas Electronics America

Numéro d'article
R1RW0416DSB-2LR#D1
Fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
IC SRAM IBIS ASYNC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
30442 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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R1RW0416DSB-2LR#D1 Description détaillée

Numéro d'article R1RW0416DSB-2LR#D1
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire SRAM
La technologie SRAM
Taille mémoire 4Mb (256K x 16)
Fréquence d'horloge -
Écrire un temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package de périphérique fournisseur 44-TSOP II
Poids -
Pays d'origine -

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