R1RW0416DSB-2LR#D1 - Renesas Electronics America

Numero di parte: R1RW0416DSB-2LR#D1
fabbricante: Renesas Electronics America
Breve descrizione: IC SRAM IBIS ASYNC
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 0/pcs
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Numero di parte	R1RW0416DSB-2LR#D1
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	SRAM
Tecnologia	SRAM
Dimensione della memoria	4Mb (256K x 16)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	12ns
Tempo di accesso	12ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	3V ~ 3.6V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	44-TSOP II
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
R1RW0408DGE-0PI#B0	Renesas Electronics America	MICROCOMPUTER	Dettagli
R1RW0408DGE-2LR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	Dettagli
R1RW0408DGE-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	Dettagli
R1RW0408DGE-2PR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 36-SOJ	Dettagli
R1RW0416DGE-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M FAST 44-SOJ	Dettagli
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R1RW0416DSB-2LR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	Dettagli
R1RW0416DSB-2LR#D1	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	Dettagli
R1RW0416DSB-2PI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM IBIS ASYNC	Dettagli
R1RW0416DSB-2PI#D0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP	Dettagli