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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › R1RW0416DSB-2LR#B0
R1RW0416DSB-2LR#B0

R1RW0416DSB-2LR#B0 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
R1RW0416DSB-2LR#B0
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IC SRAM IBIS ASYNC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
R1RW0416DSB-2LR#B0 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
30422 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern R1RW0416DSB-2LR#B0

R1RW0416DSB-2LR#B0 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer R1RW0416DSB-2LR#B0
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM
Speichergröße 4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 12ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket 44-TSOP II
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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