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Zuhause › Produktkategorien › Integrierte Schaltungen (ICs) › Speicher › R1RW0408DGE-2PI#B0
R1RW0408DGE-2PI#B0

R1RW0408DGE-2PI#B0 - Renesas Electronics America

Artikelnummer
R1RW0408DGE-2PI#B0
Hersteller
Renesas Electronics America
Kurze Beschreibung
IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
R1RW0408DGE-2PI#B0 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
43525 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern R1RW0408DGE-2PI#B0

R1RW0408DGE-2PI#B0 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer R1RW0408DGE-2PI#B0
Teilstatus Last Time Buy
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM
Speichergröße 4Mb (512K x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 12ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket 36-SOJ
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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