RFP4N100 - ON Semiconductor

номер части	RFP4N100
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	120nC @ 20V
Vgs (Макс.)	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	-
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Рабочая Температура	-
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220-3
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
RFP-100-100RH	RFP	RFP-100-100RH RFP SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
RFP-100-50SMA-B	EXSHINE	Cable & Coaxial Terminations	подробности
RFP-100N1AF	Anaren	ATTENUATOR 100W 3GHZ 1DB SMD	подробности
RFP-15-50SMA-A	EXSHINE	Cable & Coaxial Terminations	подробности
RFP-150-50SMA-C	EXSHINE	Cable & Coaxial Terminations	подробности
RFP-150100RCGNS	Anaren	RFP-150100RCGNS Anaren SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
RFP-150N50TE	ANAREN	RFP-150N50TE ANAREN MODULE New Original Stocks	подробности
RFP-200-50N-D	EXSHINE	Cable & Coaxial Terminations	подробности
RFP-25-3AP	POWER	RFP-25-3AP POWER SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
RFP-250-100RM	EXSHINE	Flanged Resistors	подробности