RFP4N100 - ON Semiconductor

Número de pieza	RFP4N100
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 20V
Vgs (Max)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	-
Temperatura de funcionamiento	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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