RFP4N100 - ON Semiconductor

Artikelnummer	RFP4N100
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 20V
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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RFP-150-50SMA-C	EXSHINE	Cable & Coaxial Terminations	Einzelheiten
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RFP-200-50N-D	EXSHINE	Cable & Coaxial Terminations	Einzelheiten
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