NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G - ON Semiconductor

номер части
NCV1413BDR2G
производитель
ON Semiconductor
Краткое описание
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
NCV1413BDR2G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
108233 pcs
Справочная цена
USD 0.2335/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G Подробное описание

номер части NCV1413BDR2G
Статус детали Active
Тип транзистора 7 NPN Darlington
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 50V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) -
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Мощность - макс. -
Частота - переход -
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика 16-SOIC
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ NCV1413BDR2G