NCV1413BDR2G

NCV1413BDR2G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NCV1413BDR2G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
115364 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.2335/pcs
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NCV1413BDR2G Description détaillée

Numéro d'article NCV1413BDR2G
État de la pièce Active
Type de transistor 7 NPN Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V
Puissance - Max -
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 16-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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