NCV1413BDR2G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NCV1413BDR2G |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
7 NPN Darlington |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
1.6V @ 500µA, 350mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
- |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
1000 @ 350mA, 2V |
Leistung max |
- |
Frequenz - Übergang |
- |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket |
16-SOIC |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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