2N3013 - ON Semiconductor

номер части	2N3013
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	200mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	15V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	500mV @ 30mA, 300mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	300nA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	30 @ 30mA, 400mV
Мощность - макс.	360mW
Частота - переход	350MHz
Рабочая Температура	-
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика	TO-18
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
2N0303	INFINEON	2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks	подробности
2N03L10	INFINEON	2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks	подробности
2N1008	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	подробности
2N1008A	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	подробности
2N1008B	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	подробности
2N1011	EXSHINE	germanium transistors	подробности
2N1016B	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	подробности
2N1016C	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	подробности
2N1016D	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	подробности
2N1057	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	подробности