2N3013 - ON Semiconductor

Numéro d'article	2N3013
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	200mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 30mA, 300mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	300nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 30mA, 400mV
Puissance - Max	360mW
Fréquence - Transition	350MHz
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur	TO-18
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N0303	INFINEON	2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks	Détails
2N03L10	INFINEON	2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks	Détails
2N1008	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1008A	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1008B	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1011	EXSHINE	germanium transistors	Détails
2N1016B	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1016C	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1016D	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1057	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails